GaN半導体に革命 生産コストの半分を占めるアンモニアから窒素水素に置き換える新製法を開発 [323057825]

1 : 【大吉】 (庭) [US]:2024/06/02(日) 17:06:38.21 ID:deIlpNKb0●.net ?PLT(13000)
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名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、
窒化ガリウム(GaN)の低温成長法を開発した。プラズマで窒素ラジカルなどを供給する。
原料をアンモニアから窒素と水素に置き換えられる。アンモニアは生産コストの3―5割を占めていた。
パワー半導体製造の低コスト化につながる。

窒素と水素のガスをプラズマ処理して窒素ラジカルなどを生成する。
基板上でガリウムなどの有機金属と反応し、GaNの結晶が成長する。
従来はアンモニアを1150度C程度で熱分解して窒素ラジカルを供給していた。
分解効率が低く、大部分のアンモニアが排出されていた。

プラズマを用いると800度CでGaNを製造できた。
結晶の成長速度は1時間当たり3・3マイクロ―4・5マイクロメートル(マイクロは100万分の1)と従来法に匹敵する。
容器を熱分解窒化ホウ素で覆うことで窒素ラジカルなどの失活を防いだ。

窒化アルミニウムは600度C、窒化インジウムは200度Cで製造できる。
低温で成長速度を制御でき、異なる物質を積層しても歪みを抑えられる。パワー半導体の量産などに提案していく。

「パワー半導体」量産に提案…名大、プラズマ活用でGaN高速成長
https://newswitch.jp/p/41748

73 :名無しさん@涙目です。:2024/06/03(月) 07:03:04.85 ID:hqA6TlVC0.net

>>70
ババ
ジョニー

フッ!

76 :名無しさん@涙目です。:2024/06/03(月) 17:45:28.60 ID:gUqikSUD0.net

原料をうんこに変更できれば劇的に生産コストを下げられるのになぜ誰も試さないのか

63 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:06:55.11 ID:Vc5V86fq0.net

アンモニアが生産コストの3~5割ってどういう計算なんだろうな
JSTの試算でGaN結晶製造の変動費は8割以上がガリウムのコストで残りはほぼ電気代、アンモニアのコストなんて0.5%も行かない程度だったけど
その試算でもアンモニアの熱分解効率3%で計算してあったから前提がそうズレてるわけでも無さそうだし

53 ::2024/06/02(日) 19:23:04.97 ID:+moOoP9E0.net

俺の糖尿オシッコが資源になるの?

19 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:24:19.58 ID:IwGoFclt0.net

五十島さんが1999年頃に知り得ていた内容を今更持ち出すとは・・・・>>1

58 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 19:45:41.10 ID:SctvOR0P0.net

金を引き出すためのダシやん

61 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 19:56:09.45 ID:ZfIeJlWy0.net

>>54
青色LEDで死ぬほど聞いたから
最近むしろあまり聞かなかったと思うが

37 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:56:48.58 ID:v7CXxLZ20.net

マ・クベ

42 :山下(shine):2024/06/02(日) 18:11:58.15 ID:oqhgfCHi0.net

あれは良いものだ

39 :(長野県)(茸):2024/06/02(日) 18:06:53.52 ID:V5ulKzRN0.net

現代のハーバーボッシュ法ってことが

38 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:58:13.19 ID:qOiN2DnC0.net

肝心EVマーケ死んだやん

13 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:17:34.05 ID:BEGI30OX0.net

ふむふむ、なるほど
なるほど🤔

72 :名無しさん@涙目です。:2024/06/03(月) 04:34:11.40 ID:C4B7rF6a0.net

>>4
中抜きが増えるからだよな

6 :山下:2024/06/02(日) 17:11:03.45 ID:RPxFJQ5t0.net

半導体各社は速攻で問い合わせ入れてるな

41 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 18:11:07.05 ID:LI5ZRVgW0.net

>>35
テレビ受像機
以前のブラウン管から液晶にかわる前後

プラズマテレビをやろうとしたπおにあに
ほかの100社とかの日本の電機産業が反抗して
喧嘩ばっかで

みんな結果で韓国の大馬鹿に盗みされ
韓国の大馬鹿は中国人に盗みされかけると
またあんたら立憲民主であんだ騒ぎにする

29 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:43:53.83 ID:IwGoFclt0.net

>>24
さあねえ。五十島さんレベルの定義では
低温プラズマは工業用真空レベルで摂氏300℃前後から500℃前後のはずだが。
800℃となると試験段階で量産には全く向かないレベルじゃないの(笑)
どうせどこかの昔の廃棄レポートを見て特許申請されていないから着手しただけの気がするわw

33 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:48:43.09 ID:FpTw2eCb0.net

GaNは耐圧厳しいよね
速いけど

44 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 18:21:02.11 ID:YIz9SJjA0.net

>>16
全く意味わかんないけどとにかくけなしたいのかw

27 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:41:48.78 ID:ekOd9olH0.net

がんばれ民主党
日本人に負けるな

54 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 19:23:59.02 ID:yQcT6JPm0.net

窒化ガリウムって最近よく聞くな
いいモノなのかね

17 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:22:23.37 ID:lhvRerLs0.net

プラズマCVDは確かに低温でできるんだけど、
結晶性が悪くなるんだよな
これはどうなんだろ

67 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:38:55.17 ID:UNvqyy+90.net

>>51
気体がさらに分解してイオンと電子が混じったような状態

65 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:11:24.86 ID:nlxbjZXU0.net

>>54
うーん
文系くさいな

46 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 18:21:48.15 ID:l2KRrc7i0.net

>>16
めーwww

69 :名無しさん@涙日です。:2024/06/02(日) 21:21:00.79 ID:TwUwYnnc0.net

また東北大がやってくれたか

70 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 23:09:54.08 ID:FpTw2eCb0.net

GaNと書いてガリウムナイトライド
それが奴の名だ…そう、ガリウムナイトライドだ。
夜空を見るたび思い出せ!

12 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:16:38.02 ID:ogHS48oq0.net

ガリウムもインジウムも潤沢にあるわけじゃないのがなあ

62 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:04:48.65 ID:t6RSbZSL0.net

>>4
どういう事?

31 ::2024/06/02(日) 17:45:58.43 ID:8hHXfOhc0.net

ガーン

75 :山下:2024/06/03(月) 17:42:04.64 ID:lHNo0vqi0.net

>>63
半導体グレードのアンモニアは一般品よりも相当高価なんじゃね