GaN半導体に革命 生産コストの半分を占めるアンモニアから窒素水素に置き換える新製法を開発 [323057825]

1 : 【大吉】 (庭) [US]:2024/06/02(日) 17:06:38.21 ID:deIlpNKb0●.net ?PLT(13000)
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名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、
窒化ガリウム(GaN)の低温成長法を開発した。プラズマで窒素ラジカルなどを供給する。
原料をアンモニアから窒素と水素に置き換えられる。アンモニアは生産コストの3―5割を占めていた。
パワー半導体製造の低コスト化につながる。

窒素と水素のガスをプラズマ処理して窒素ラジカルなどを生成する。
基板上でガリウムなどの有機金属と反応し、GaNの結晶が成長する。
従来はアンモニアを1150度C程度で熱分解して窒素ラジカルを供給していた。
分解効率が低く、大部分のアンモニアが排出されていた。

プラズマを用いると800度CでGaNを製造できた。
結晶の成長速度は1時間当たり3・3マイクロ―4・5マイクロメートル(マイクロは100万分の1)と従来法に匹敵する。
容器を熱分解窒化ホウ素で覆うことで窒素ラジカルなどの失活を防いだ。

窒化アルミニウムは600度C、窒化インジウムは200度Cで製造できる。
低温で成長速度を制御でき、異なる物質を積層しても歪みを抑えられる。パワー半導体の量産などに提案していく。

「パワー半導体」量産に提案…名大、プラズマ活用でGaN高速成長
https://newswitch.jp/p/41748

62 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:04:48.65 ID:t6RSbZSL0.net

>>4
どういう事?

32 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:46:07.72 ID:IwGoFclt0.net

プラズマの制御は磁界を+してこそがスタートレベル
こんなどこの馬の骨ともわからん外国人がプラズマの研究にかじりつくようでは
mRNAコロナと同じ香りがしますwwwマジで自民党は余計な事しかしなくなったよな。

42 :山下(shine):2024/06/02(日) 18:11:58.15 ID:oqhgfCHi0.net

あれは良いものだ

63 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:06:55.11 ID:Vc5V86fq0.net

アンモニアが生産コストの3~5割ってどういう計算なんだろうな
JSTの試算でGaN結晶製造の変動費は8割以上がガリウムのコストで残りはほぼ電気代、アンモニアのコストなんて0.5%も行かない程度だったけど
その試算でもアンモニアの熱分解効率3%で計算してあったから前提がそうズレてるわけでも無さそうだし

59 ::2024/06/02(日) 19:52:12.76 ID:xCcZZftX0.net

ちょっと話がアルニダ

75 :山下:2024/06/03(月) 17:42:04.64 ID:lHNo0vqi0.net

>>63
半導体グレードのアンモニアは一般品よりも相当高価なんじゃね

11 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:14:58.95 ID:ZYvqE8cq0.net

ギャン

69 :名無しさん@涙日です。:2024/06/02(日) 21:21:00.79 ID:TwUwYnnc0.net

また東北大がやってくれたか

74 :名無しさん@涙目です。:2024/06/03(月) 17:37:26.37 ID:ZOSDCB5k0.net

>>68
純化して使うんでそんな粗いもん用事ないよ

55 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 19:28:12.72 ID:sLBJJsJt0.net

レーザーテック急騰

55 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 19:28:12.72 ID:sLBJJsJt0.net

レーザーテック急騰

66 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:22:19.10 ID:nlxbjZXU0.net

>>63
アンモニア自体が不安定でコストも高いじゃん
水の形で供給するわけじゃないからな
腐食性だし貯蔵も面倒だし、出来損ないは多いし、そのまま排出も出来ないのに再利用もできない
火事も多いよね

それにセミコンって加工賃が九割なわけで金属資源としちゃいくらにもならんよ

16 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:22:20.72 ID:FD4hj4Aa0.net

一方で電気自動車には全く力を入れてないので 中国めーに使われる

35 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:50:01.66 ID:GbNpYZ7n0.net

韮沢「あんたは何でもかんでもプラズマにしたがる人」
教授「あんたが何でもかんでもUFOにしてるから私が呼び出されるんです」

こう言うのをまた見たいよね

17 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:22:23.37 ID:lhvRerLs0.net

プラズマCVDは確かに低温でできるんだけど、
結晶性が悪くなるんだよな
これはどうなんだろ

53 ::2024/06/02(日) 19:23:04.97 ID:+moOoP9E0.net

俺の糖尿オシッコが資源になるの?

43 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 18:19:52.04 ID:YIz9SJjA0.net

>>4
実験室レベルから量産に移行するにはコスト下げなきゃ無理なんだよ

29 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:43:53.83 ID:IwGoFclt0.net

>>24
さあねえ。五十島さんレベルの定義では
低温プラズマは工業用真空レベルで摂氏300℃前後から500℃前後のはずだが。
800℃となると試験段階で量産には全く向かないレベルじゃないの(笑)
どうせどこかの昔の廃棄レポートを見て特許申請されていないから着手しただけの気がするわw

8 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:13:33.88 ID:lz222JB60.net

???「共同研究してやるニダ」

6 :山下:2024/06/02(日) 17:11:03.45 ID:RPxFJQ5t0.net

半導体各社は速攻で問い合わせ入れてるな

10 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:14:50.19 ID:HWXURaHS0.net

つまり水と空気と電気があれば良いってことか?

49 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 18:47:02.30 ID:HaZirh7T0.net

台湾に盗られるんじゃないぞ

20 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:24:25.01 ID:YM8K9lTo0.net

>>12
次のダイヤモンド半導体に期待

65 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 20:11:24.86 ID:nlxbjZXU0.net

>>54
うーん
文系くさいな

5 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:09:15.87 ID:gjzAOIrU0.net

アンプいい奴作れるのか

18 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:23:23.63 ID:Y6fmVW2F0.net

プラズマは、ありまぁす

70 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 23:09:54.08 ID:FpTw2eCb0.net

GaNと書いてガリウムナイトライド
それが奴の名だ…そう、ガリウムナイトライドだ。
夜空を見るたび思い出せ!

45 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 18:21:25.66 ID:QPEN5x1i0.net

大学の研究室でやってたけど今は全く関係ない業界にいるわ

25 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:33:41.74 ID:qQyMzA9j0.net

タムラ製作所の株が騰がればなんでもいい

21 :名無しさん@涙目です。:2024/06/02(日) 17:25:50.87 ID:IwGoFclt0.net

>>15
クマールでインド
ダシヤンはインド
インドです。またはインド系の人。